■ZnO系酸化物TFTの分類と構造
・トップゲート型(コンベンショナルタイプ、セルフアラインタイプ)
・ボトムゲート型(エッチングストッパー型、バックチャネル型、透明TFT)
・デュアルゲート型

■トップゲート型酸化物TFTの製造プロセス(総論)
・5枚マスクプロセス
・4枚マスクプロセス

■セルフアライン構造トップゲート型酸化物TFTの製造プロセス(総論)
　・6枚マスクプロセス

■バックチャネルタイプボトムゲート型酸化物TFTの製造プロセス(総論)
・スタンダードプロセス(5枚マスク)
・4枚マスクプロセス
・n⁺ IGZO挿入型デバイスの5枚マスクプロセス

■エッチングストッパータイプボトムゲート型酸化物TFTの製造プロセス(総論)
　・6枚マスクプロセス

■ボトムゲート型透明酸化物TFTの製造プロセス(総論)
・4枚マスクプロセス

■デュアルゲート型透明酸化物TFTの製造プロセス(総論)
　・7枚マスクプロセス

■製造プロセス各論
●ソース/ドレイン形成プロセス
●酸化物半導体層形成プロセス(IGZO、AZTO、ZnO、HfIZO)
●塗布型酸化物半導体層形成プロセス
● n⁺ IGZOスパッタリング成膜プロセス
●ゲート絶縁膜形成プロセス
●ゲート電極形成プロセス(真空成膜無機膜を用いる場合、塗布型材料を用いる場合)
●ソース/ドレイン領域形成プロセス
●アニール処理プロセス
●透明画素電極形成プロセス(真空成膜透明画素電極を用いる場合、反射画素電極を用いる場合、塗布型材料を用いる場合)
●パッシベーション＆コンタクトホール形成プロセス

■フレキシブル基板製酸化物TFT作製における注意点
・加工されたフレキシブルサブストレートを用いる場合
・元基板にTFT＆デバイスを作製した後、プラスチックフィルムに転写する場合
・支持基板に樹脂膜を塗布・硬化後、TFT＆デバイスを作製し、支持基板をリリースして樹脂膜を基板に用いる場合

▲IGZO酸化物半導体層の構造