絵で見るマイクロクリスタルSi TFT製造プロセス2016年版
8K高速駆動TFT-LCDや有機ELD用バックプレーンの製造プロセスを網羅!!



★次世代TFTであるマイクロクリスタルSi TFT(μC-Si TFT)製造プロセスをCD-ROMで徹底図解
★初期のエッチングストッパータイプに加え、本命構造のバックチャネルタイプを解説
★標準的な5〜6枚マスクプロセスから4枚マスクプロセス、そして究極の3枚マスクプロセスまで網羅
★デバイス構造図、プロセスフロー図をすべて3D化

★ボリュームはブラウザページに換算すると計42ページ(A4用紙換算で90頁相当)
★プロセスフロー図は約245

★ファイルはインターネットエクスプローラーなどのブラウザ形式なのでどんなPCでもOK
★トップページから各論へ自在にアクセス可能


MAIN CONTENT


■マイクロクリスタルSi TFTの特徴と存在意義


■デバイス構造の分類(エッチングストッパータイプボトムゲート型、バックチャネルタイプボトムゲート型)

■エッチングストッパー型μC-Si TFTの製造プロセス
・レーザーダイレクトパターニング技術を用いた5PEP(総論)
・レーザー選択照射技術を用いた6PEP(総論)
・μC-Siダイレクト成膜技術を用いた5PEP(総論)

■バックチャネル型μC-Si TFTの製造プロセス
・エキシマレーザー技術を用いた5PEP(総論)
・エキシマレーザー技術を用いた4PEP(総論)
・エキシマレーザー技術を用いた3PEP(総論)

■ゲート形成プロセス(各論)

■ゲート絶縁膜、a-Siプリカーサ膜成膜プロセス(各論)

■Mo光熱変換膜成膜・形成プロセス(各論)

■LDビーム照射によるμC-Si化プロセス(各論)

■μC-Si膜ダイレクト成膜プロセス(各論)

■エキシマレーザーアニールによるμC-Si化プロセス(各論)

■エッチングストッパー形成プロセス(各論)

■N+ a-Si膜成膜プロセス(各論)

■ソース/ドレインメタル成膜プロセス(各論)

■ソース/ドレイン、μC-Si膜、N+ a-Si膜一括パターニングプロセス(各論)

■パッシベーション成膜、コンタクトホール形成プロセス(各論)

■ソース/ドレイン、データライン、Siアイランド、反射画素電極一括形成プロセス(各論)

■パッシベーション&画素電極一括形成プロセス(各論)

■透明画素電極形成プロセス(各論)

■反射メタル画素電極形成プロセス(各論)






▲μC-Siの存在意義とデバイス構造


▲プロセスフローサンプル@


▲プロセスフローサンプルA


E ExpressならではのオリジナルCD-ROM

CD-ROM
発行:2016年2月1日
定価:総額18,000円(消費税込み)
販売元:イー・エクスプレス
お問い合わせ・申し込み先:TEL 090-4203-4633(担当:亀矢)
E-Mail:info@e-express.co.jp

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CD-ROM:絵で見るマイクロクリスタルSi TFT製造プロセス
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